Ситалловые подложки для радиоэлектронной техники
Предназначены для изготовления пленочных гибридных микросхем, миниатюрных чип-резисторов, микроакустоэлектроники.
Отличаются высокой степенью чистоты рабочей поверхности — 0,024 мкм (у существующих аналогов — 0,032 мкм).
Характеристики
| Шероховатость рабочей поверхности Rz, мкм | ≤ 0,032 |
| Шероховатость не рабочей поверхности Rz, мкм | ≥ 4 |
| Геометрические размеры, мм | 60 (− 0,5) × 48 (− 0,3) × 0,6 (− 0,1) |
| Плотность, г/см³ | 2,65 |
| Диэлектрическая проницаемость (ε) при частоте 1,0 МГц | 8,5 ± 0,5 |
| Тангенс угла диэлектрических потерь (tg δ*104) при частоте 106 Гц | ≤ 15 |
| Температурный коэффициент линейного расширения (ТКЛР 107 К-1) в интервале температур от 20 до 300 °С | 52,0 ± 2,0 |
