Ситалловые подложки для радиоэлектронной техники

Предназначены для изготовления пленочных гибридных микросхем, миниатюрных чип-резисторов, микроакустоэлектроники.

Отличаются высокой степенью чистоты рабочей поверхности: на 0,024 мкм выше, чем у существующих аналогов.

Характеристики

Шероховатость рабочей поверхности Rz, мкм ≤ 0,032
Шероховатость не рабочей поверхности Rz, мкм ≥ 4
Геометрические размеры, мм 60 (− 0,5) × 48 (− 0,3) × 0,6 (− 0,1)
Плотность, г/см³ 2,65
Диэлектрическая проницаемость (ε) при частоте 1,0 МГц 8,5 ± 0,5
Тангенс угла диэлектрических потерь (tg δ*104) при частоте 106 Гц ≤ 15
Температурный коэффициент линейного расширения (ТКЛР 107 К-1) в интервале температур от 20 до 300 °С 52,0 ± 2,0
Наверх